/ /

АО «НИИЭТ» завершил проект по техническому перевооружению производства СБИС и мощных СВЧ-транзисторов

АО «НИИЭТ» завершил проект по техническому перевооружению производства СБИС и мощных СВЧ-транзисторов

download PDF
29 декабря 2021, 13:51    1331
АО «НИИЭТ» завершил проект по техническому перевооружению производства СБИС и мощных СВЧ-транзисторов

С вводом в эксплуатацию обновленного кристального производства возможности АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» по изготовлению передовой ЭКБ вышло на новый уровень. В результате выполнения федеральной целевой программы (ФЦП) «Техническое перевооружение производства СБИС и мощных СВЧ транзисторов» были построены чистые производственные помещения классов 5 и 6 ИСО общей площадью 1250 м2, где разместились участки, обеспечивающие полный цикл изготовления кристаллов полупроводниковых приборов на основе кремния. Производство пополнилось новыми установками для выполнения химической обработки, фотолитографии, утонения пластин и плазмохимического травления.

Среди нового оборудования можно выделить установку мультипликации и экспонирования фоторезиста (степпер) NSR-2205il2D с минимальной шириной воспроизводимого элемента 0,28 мкм. Именно от этой установки в первую очередь зависят проектные нормы, а следовательно, возможности производства по изготовлению компонентов с малыми размерами и высокой степенью интеграции. Линейный размер элемента 0,28 мкм соответствует требованиям, предъявляемым при производстве широкой номенклатуры современных дискретных полупроводниковых приборов, включая мощные СВЧ и силовые транзисторы.

Среди новых единиц оборудования есть и белорусская установка – Р200 от компании «Стратнанотек», предназначенная для плазмохимического удаления фоторезиста.

Модернизация кристального производства — очередной этап перевооружения производства АО «НИИЭТ». Первый этап был завершен в 2016 году сдачей в эксплуатацию мощностей по сборке ЭКБ и модулей в металлокерамические корпуса. Сборочное производство «НИИЭТ» обладает широким спектром возможностей, включающим не только корпусирование полупроводниковых приборов и ИС, но и изготовление многокристальных модулей и систем в корпусе – изделий, которые обладают большим потенциалом для развития отечественной сложнофункциональной компонентной базы. Оно позволяет упаковывать ИС с числом выводов до 1,5 тыс. и обладает мощностью до 200 тыс. изделий в год. На данной площадке собирается не только продукция самого предприятия, но и изделия внешних заказчиков, количество которых составляет порядка 130.

Ввод в эксплуатацию обновленного кристального производства уже позволил повысить качество выпускаемой предприятием продукции и увеличить выход годных. Кроме того, новые технологические возможности будут способствовать глубокой локализации изготовления перспективных изделий АО «НИИЭТ».

«Доведенный до логического конца проект – это всегда повод для гордости. Особенно когда речь идет о таком сложном многостадийном процессе, каким является перевооружение микроэлектронного производства. Результатом выполнения ФЦП стали во многом уникальные для отечественного рынка производственные возможности нашего предприятия, которые, я уверен, позволят нам обеспечивать российскую промышленность качественными современными электронными компонентами, а также создавать конкурентоспособную электронную продукцию, в том числе для гражданского рынка», – отметил генеральный директор АО «НИИЭТ» Павел Куцько.

Создание данной площадки также обеспечивает базу для дальнейшего внедрения на предприятии многообещающей технологии постростового производства на основе гетероструктур нитрида галлия.

«Развитие мощных СВЧ- и силовых транзисторов на основе кремния подходит к своим предельным возможностям, поэтому всё более широкое применение находят транзисторы на основе гетероструктур GaN, которые по таким параметрам, как рабочая частота, быстродействие, энергоэффективность, более чем на порядок превосходят кремниевые приборы. В построенных чистых помещениях предусмотрены свободные площади, где планируется установить дополнительное технологическое оборудование, которое с учетом уже действующих технологических участков позволит обеспечить замкнутый цикл кристального производства приборов на основе гетероструктур нитрида галлия на кремниевых подложках диаметром 200 мм», –  прокомментировал эти перспективы технический директор АО «НИИЭТ» Игорь Семейкин.

Фото - НИИЭТ

Свежее


  Больше новостей и обсуждений в Telegram-канале журнала RUБЕЖ

Yandex.Дзен

Подписывайтесь на канал ru-bezh.ru
в Яндекс.Дзен

Яндекс.Директ

RUБЕЖ в vk RUБЕЖ на youtube RUБЕЖ в telegram+ RUБЕЖ-RSS

Контакты

Адрес: 121471, г. Москва, Фрунзенская набережная, д. 50, пом. IIIа, комн.1

Тел./ф.: , +7 (495) 539-30-20

Время работы:

E-mail: info@ru-bezh.ru


Свидетельство о регистрации ФС77-78638 от 10 июля 2020г

выдано Федеральной службой по надзору в сфере связи,

информационных технологий и массовых коммуникаций.

Для рекламодателей

E-mail: reklama@ru-bezh.ru

тел.: +7 (495) 539-30-20 (доб. 103)

total time: 0.5091 s
queries: 268 (0.2069 s)
memory: 2 048 kb
source: database
Выделите опечатку и нажмите Ctrl + Enter, чтобы отправить сообщение.